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QBT-E 双腔室超高真空双倾角蒸镀系统

量子计算,超导器件,半导体。
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QBT-E 技术参数 Technical Specifications (Ebeam SiO2/Si等制备)
UHV超高真空腔体 2腔室,Loadlock和蒸发,Loadlock极限真空 Ultimate Pressure<9E-9Torr,可加热RT-900ºC
蒸发腔 极限真空 Ultimate Pressure<3E-9Torr
高分辨率镀膜速率显示及控制 Depostion Rate ±0.015Å,Ф100mm 镀膜均匀性<±3%
基板操控能力 Wafer Tilt and Rotation 可实现180度倾斜及360度旋转,0.1度的精准控制,加热RT-600ºC
传输 全自动样品传输
人机界面 HMI 全自动化人机操作界面
安全Safety 工业标准安全互锁Industry Safety Interlock,报警Alarm,EMO
双腔室超高真空双倾角蒸镀系统
关键词:
量子计算
超导器件
半导体
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