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QBT-MP 三腔室超高真空磁控溅射系统

量子计算,超导器件,半导体。
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QBT-MP 技术参数 Technical Specifications (各种超导金属及氮化物等制备)
超高真空腔体UHV Chamber 多片进样,离子清洗腔及多枪头磁控溅射三腔
LoadLock进样室 进样腔同时装载四片样品
离子束清洗 Ion Milling 考夫曼离子源, 样品台双倾角控制
磁控溅射 Sputtering 磁控溅射腔可配四个3寸枪及1个4寸枪
基板 可加热至RT-900ºC,可旋转,基板与靶材距离连续可调Wafer and Target Space can Change Continoulsly
极限真空Ultimate Pressure <3E-9Torr
基板传输 Wafer Transfer 高度可靠和可重复的基板传输能力
人机界面 HMI 全自动化人机操作界面
安全Safety 工业标准安全互锁Industry Safety Interlock,报警Alarm,EMO
三腔室超高真空磁控溅射系统
关键词:
量子计算
超导器件
半导体
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