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| QBT-MP 技术参数 Technical Specifications (各种超导金属及氮化物等制备） | |
| 超高真空腔体UHV Chamber | 多片进样，离子清洗腔及多枪头磁控溅射三腔 |
| LoadLock进样室 | 进样腔同时装载四片样品 |
| 离子束清洗 Ion Milling | 考夫曼离子源, 样品台双倾角控制 |
| 磁控溅射 Sputtering | 磁控溅射腔可配四个3寸枪及1个4寸枪 |
| 基板 | 可加热至RT-900ºC，可旋转，基板与靶材距离连续可调Wafer and Target Space can Change Continoulsly |
| 极限真空Ultimate Pressure | <3E-9Torr |
| 基板传输 Wafer Transfer | 高度可靠和可重复的基板传输能力 |
| 人机界面 HMI | 全自动化人机操作界面 |
| 安全Safety | 工业标准安全互锁Industry Safety Interlock，报警Alarm，EMO |
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双腔室超高真空磁控溅射系统
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双腔室高真空高速蒸镀系统
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