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QBT-A 双腔室高真空等离子体ALD系统

量子计算,超导器件,半导体。
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量子计算
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产品描述
测试结果
客户文章
QBT-A 技术参数 Technical Specifications (超导NbN, TiN以及 Al2O3, SiO2等制备)
高真空HV腔体 2个腔室,包括进样室和ALD,LoadLock极限真空 Ultimate Pressure<9E-6Torr
工艺腔极限真空 Ultimate Pressure <5E-7Torr
等离子体 Plasma 最大600W RF自匹配电源
最大基板尺寸Max Wafer Size Ф200mm,氧化铝均匀性<1%
高精准样品加热控制 Wafer Heating RT-500±1ºC
前驱体 Max Precursor 最大可包括3组等离子体反应气体 4组液态或固态反应前驱体
臭氧发生器Ozone Generator 可选配,生产效率15g/h
传输 高真空自动化传输
人机界面 HMI 全自动化人机操作界面
安全Safety 工业标准安全互锁Industry Safety Interlock,报警Alarm,EMO
双腔室高真空等离子体ALD系统
关键词:
量子计算
半导体
超导器件
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