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QBT-MP 技术参数 Technical Specifications (各种超导金属及氮化物等制备) | |
超高真空腔体UHV Chamber | 多片进样,离子清洗腔及多枪头磁控溅射三腔 |
LoadLock进样室 | 进样腔同时装载四片样品 |
离子束清洗 Ion Milling | 考夫曼离子源, 样品台双倾角控制 |
磁控溅射 Sputtering | 磁控溅射腔可配四个3寸枪及1个4寸枪 |
基板 | 可加热至RT-900ºC,可旋转,基板与靶材距离连续可调Wafer and Target Space can Change Continoulsly |
极限真空Ultimate Pressure | <3E-9Torr |
基板传输 Wafer Transfer | 高度可靠和可重复的基板传输能力 |
人机界面 HMI | 全自动化人机操作界面 |
安全Safety | 工业标准安全互锁Industry Safety Interlock,报警Alarm,EMO |

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双腔室超高真空双磁控测射系统
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