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| QBT-L 技术参数 Technical Specifications (Au, SiO2等制备) | |
| 极限真空 Ultimate Pressure | <2E-7Torr |
| 排气速率Pumping Spead | 从ATM到5E-6Torr<15min |
| 高分辨率镀膜速率显示及控制 Depostion Rate | ±0.015Å |
| 高精准样品加热控制 Wafer Heating | RT-300±1ºC |
| 最大基板尺寸Max Wafer Size | Ф200mm |
| 前后门设计可集成手套箱 Glove Box | 选配手套箱 |
| 人机界面 HMI | 全自动化人机操作界面 |
| 安全Safety | 工业标准安全互锁Industry Safety Interlock，报警Alarm，EMO |
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