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产品描述
测试结果
代表论文
| QBT-T 技术参数 Technical Specifications （TiN, ZnO, Al2O3, TiO2等制备） | |
| 腔体 | 双腔体设计（1个硅片PEALD腔室，1个粉末ALD腔室），每个腔体独立控制，双倍产出 |
| 等离子体 Plasma | 最大3kW RF自匹配电源 |
| 最大基板尺寸Max Wafer Size | Ф150mm (可定制） |
| 高精准样品加热控制 Wafer Heating | RT-300±1ºC |
| 前驱体 Max Precursor | 最大可包括3组等离子体反应气体 5组液态或固态反应前驱体, Max 3 Gas and 5 Liquid/Solid Precursors |
| 臭氧发生器Ozone Generator | 可选配，生产效率15g/h |
| 人机界面 HMI | 全自动化人机操作界面 |
| 安全Safety | 工业标准安全互锁Industry Safety Interlock，报警Alarm，EMO |
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双腔室高真空等离子体ALD系统
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