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QBT-J 全自动四腔超高真空双倾角镀膜系统

QBT-J 采用线性级联技术,集成了进样/预处理、离子铣、蒸发以及氧化四个腔室。整套系统全自动运行,操作简单,易于维护,并且采用抓取传送方式,减少了颗粒物的产生。基于QBT-J系列,客户可研发出高质量的超导器件,在诸多领域有广泛的应用前景。
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Evaporator
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QBT-J 技术参数 Technical Specifications (双倾角蒸发)
超高真空腔体 UHV Chamber 4个UHV Chamber,包括Loadlock/Aneal, Ion Milling, Ebeam-Evaporation, Oxidation, 极限真空Ultimate Pressure<1E-9Torr
基板加热 Wafer Heating RT-900ºC
离子束清洗 Ion Milling 考夫曼离子源, Ion Energy 100-600eV, 100-1200eV, Ion Beam Current:20-200mA, Ф100基板刻蚀均匀性<±3%
电子束蒸发 Ebeam Evaporation UHV 5 Linear Pocket Ebeam Evaporation Source, 8KW Power Supply
氧化 Oxidation Flow and Static Mode Oxidation
基板操控能力 Wafer Tilt and Rotation 可实现180度倾斜及360度旋转,0.1度的精准控制
基板传输 Wafer Transfer 高度可靠和可重复的基板传输能力
人机界面 HMI 全自动化人机操作界面
安全Safety 工业标准安全互锁Industry Safety Interlock,报警Alarm,EMO
全自动四腔超高真空双倾角镀膜系统
全自动四腔超高真空双倾角镀膜系统
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·Bu, K., Huai, S., Zhang, Z. et al. Tantalum airbridges for scalable superconducting quantum processors. npj Quantum Inf 11, 17 (2025). 
https://doi.org/10.1038/s41534-025-00972-8

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