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| QBT-J 技术参数 Technical Specifications (双倾角蒸发） | |
| 超高真空腔体 UHV Chamber | 4个UHV Chamber,包括Loadlock/Aneal, Ion Milling, Ebeam-Evaporation, Oxidation, 极限真空Ultimate Pressure<1E-9Torr |
| 基板加热 Wafer Heating | RT-900ºC |
| 离子束清洗 Ion Milling | 考夫曼离子源, Ion Energy 100-600eV, 100-1200eV, Ion Beam Current:20-200mA, Ф100基板刻蚀均匀性<±3% |
| 电子束蒸发 Ebeam Evaporation | UHV 5 Linear Pocket Ebeam Evaporation Source, 8KW Power Supply |
| 氧化 Oxidation | Flow and Static Mode Oxidation |
| 基板操控能力 Wafer Tilt and Rotation | 可实现180度倾斜及360度旋转，0.1度的精准控制 |
| 基板传输 Wafer Transfer | 高度可靠和可重复的基板传输能力 |
| 人机界面 HMI | 全自动化人机操作界面 |
| 安全Safety | 工业标准安全互锁Industry Safety Interlock，报警Alarm，EMO |
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双腔室超高真空双倾角蒸镀系统
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