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QBT-P 双腔室超高真空磁控溅射系统

QBT-P 设备具备超高真空背景环境,全自动操作,可实现高质量薄膜沉积,目前韫茂QBT-P磁控溅射系列可生长出高质量α相钽膜,在高温和常温下都可以得到高质量的钽膜,钽膜的Tc超过4.25 K,并且剩余电阻比大于6。 用韫茂QBT-P 系列制备的Ta可实现低损耗的超导电路制备,单光子品质因数超过100万,且对应的量子比特相干时间超过250μs
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测试结果
代表论文
QBT-P 技术参数 Technical Specifications (超导Ta/TiN/NbN/Al/Nb等制备)
超高真空腔体 UHV Chamber 2个UHV Chamber,包括Loadlock及Sputtering, 极限真空Ultimate Pressure<3E-9Torr
排气速率Pumping Spead 从ATM到1E-7Torr<20min (loadlock)
基板加热 Wafer Heating RT-900ºC
离子束清洗 Ion Milling 考夫曼离子源, Ion Energy 100-600eV, 100-1200eV; Ion Beam Current:20-200mA, Ф100基板刻蚀均匀性<±6%
磁控溅射Sputtering DC or RF Power Supply, 基板与靶材距离连续可调Wafer and Target Space can Change Continoulsly
基板传输 Wafer Transfer 高度可靠和可重复的基板传输能力
人机界面 HMI 全自动化人机操作界面
安全Safety 工业标准安全互锁Industry Safety Interlock,报警Alarm,EMO
双腔室超高真空磁控溅射系统
双腔室超高真空磁控溅射系统
关键词:
超高真空背景环境
全自动操作
高质量薄膜沉积
磁控溅射
α相钽膜
高温
常温
钽膜 Tc
剩余电阻比
低损耗超导电路
单光子品质因数
量子比特相干时间
未找到相应参数组,请于后台属性模板中添加

 

·Bu, K., Zong, Z., Zhang, Z. etal. Room temperature pure α-phase tantalum films on sapphire for superconducting qubits. Superconductor Science and Technology 38, 3. 
https://doi.org/10.1088/1361-6668/adaaa8

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