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产品描述
测试结果
代表论文
| QBT-E 技术参数 Technical Specifications (Ebeam SiO2/Si等制备) | |
| UHV超高真空腔体 | 2腔室，Loadlock和蒸发，Loadlock极限真空 Ultimate Pressure<9E-9Torr，可加热RT-900ºC |
| 蒸发腔 | 极限真空 Ultimate Pressure<3E-9Torr |
| 高分辨率镀膜速率显示及控制 Depostion Rate | ±0.015Å，Ф100mm 镀膜均匀性<±3% |
| 基板操控能力 Wafer Tilt and Rotation | 可实现180度倾斜及360度旋转，0.1度的精准控制，加热RT-600ºC |
| 传输 | 全自动样品传输 |
| 人机界面 HMI | 全自动化人机操作界面 |
| 安全Safety | 工业标准安全互锁Industry Safety Interlock，报警Alarm，EMO |
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全自动四腔超高真空双倾角镀膜系统
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双腔室超高真空磁控溅射系统
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