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测试结果
代表论文
| QBT-I 技术参数 Technical Specifications (Indium Bump等制备) | |
| 高真空腔体 HV Chamber | 2个HV腔室，Loadlock离子束刻蚀及蒸镀，极限真空Ultimate Pressure<3E-8Torr |
| 排气速率Pumping Spead | 从ATM到8E-7Torr<15min (loadlock) |
| 极限蒸发速率 High Depostion Rate | 5-12nm/s (Indium), Ф100基板镀膜均匀性<±3%, 大容量坩埚 |
| 精准的样品冷却控制 Wafer Cooling | -10-40ºC (精度±0.1） |
| 离子束清洗 Ion Milling | 考夫曼离子源, Ф100基板刻蚀均匀性<±3% |
| 人机界面 HMI | 全自动化人机操作界面 |
| 安全Safety | 工业标准安全互锁Industry Safety Interlock，报警Alarm，EMO |
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双腔室超高真空磁控溅射系统
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