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MPCVD 可实现高质量金刚石单晶、多晶薄膜生长,用于核心的第四代宽禁带半导体器件制造。
MPCVD沉积速率低,限制了生产效率,大面积、高均匀性MPCVD可大幅提高产能,降低客户使用成本。
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