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QBT-J 全自动四腔超高真空双倾角镀膜系统

量子计算,超导器件
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QBT-J 技术参数 Technical Specifications (双倾角约瑟夫森结制备)
超高真空腔体 UHV Chamber 4个UHV Chamber,包括Loadlock/Aneal, Ion Milling, Ebeam-Evaporation, Oxidation, 极限真空Ultimate Pressure<1E-9Torr
基板加热 Wafer Heating RT-900ºC
离子束清洗 Ion Milling 考夫曼离子源, Ion Energy 100-600eV, 100-1200eV, Ion Beam Current:20-200mA, Ф100基板刻蚀均匀性<±3%
电子束蒸发 Ebeam Evaporation UHV 5 Linear Pocket Ebeam Evaporation Source, 8KW Power Supply
氧化 Oxidation Flow and Static Mode Oxidation
基板操控能力 Wafer Tilt and Rotation 可实现180度倾斜及360度旋转,0.1度的精准控制
基板传输 Wafer Transfer 高度可靠和可重复的基板传输能力
人机界面 HMI 全自动化人机操作界面
安全Safety 工业标准安全互锁Industry Safety Interlock,报警Alarm,EMO
全自动四腔超高真空双倾角镀膜系统
全自动四腔超高真空双倾角镀膜系统
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量子计算
超导器件
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