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QBT-P 双腔室超高真空磁控溅射系统

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超高真空
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QBT-P 技术参数 Technical Specifications (超导Ta/TiN/NbN/Al/Nb等制备)
超高真空腔体 UHV Chamber 2个UHV Chamber,包括Loadlock及Sputtering, 极限真空Ultimate Pressure<3E-9Torr
排气速率Pumping Spead 从ATM到1E-7Torr<20min (loadlock)
基板加热 Wafer Heating RT-900ºC
离子束清洗 Ion Milling 考夫曼离子源, Ion Energy 100-600eV, 100-1200eV; Ion Beam Current:20-200mA, Ф100基板刻蚀均匀性<±3%
磁控溅射Sputtering DC or RF Power Supply, 基板与靶材距离连续可调Wafer and Target Space can Change Continoulsly
基板传输 Wafer Transfer 高度可靠和可重复的基板传输能力
人机界面 HMI 全自动化人机操作界面
安全Safety 工业标准安全互锁Industry Safety Interlock,报警Alarm,EMO
双腔室超高真空磁控溅射系统
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