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QBT-L 单腔室高真空蒸镀系统

量子计算,超导器件,半导体。
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QBT-L 技术参数 Technical Specifications (Au, SiO2等制备)
极限真空 Ultimate Pressure <2E-7Torr
排气速率Pumping Spead 从ATM到5E-6Torr<15min
高分辨率镀膜速率显示及控制 Depostion Rate ±0.015Å
高精准样品加热控制 Wafer Heating RT-300±1ºC
最大基板尺寸Max Wafer Size Ф200mm
前后门设计可集成手套箱 Glove Box 选配手套箱
人机界面 HMI 全自动化人机操作界面
安全Safety 工业标准安全互锁Industry Safety Interlock,报警Alarm,EMO
单腔室高真空蒸镀系统
关键词:
量子计算
半导体
超导器件
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