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产品描述
测试结果
代表论文
| QBT-A 技术参数 Technical Specifications （超导NbN, TiN以及 Al2O3, SiO2等制备) | |
| 高真空HV腔体 | 2个腔室，包括进样室和ALD，LoadLock极限真空 Ultimate Pressure<9E-6Torr |
| 工艺腔极限真空 Ultimate Pressure | <5E-7Torr |
| 等离子体 Plasma | 最大600W RF自匹配电源 |
| 最大基板尺寸Max Wafer Size | Ф200mm，氧化铝均匀性<1% |
| 高精准样品加热控制 Wafer Heating | RT-500±1ºC |
| 前驱体 Max Precursor | 最大可包括3组等离子体反应气体 4组液态或固态反应前驱体 |
| 臭氧发生器Ozone Generator | 可选配，生产效率15g/h |
| 传输 | 高真空自动化传输 |
| 人机界面 HMI | 全自动化人机操作界面 |
| 安全Safety | 工业标准安全互锁Industry Safety Interlock，报警Alarm，EMO |
上一个
桌式ALD系统
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