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SICE-Y6/8 碳化硅外延CVD

应用于导电型SiC功率器件:电动汽车/充电桩、光伏新能源、轨道交通等
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所属分类
工业型设备
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SICE-Y6/8的SiC外延工艺兼容6英寸和8英寸,可实现P&N型掺杂。
反应腔采用水平热壁式设计,自有五路进气喷嘴和多元混气设计,形成稳定均匀流场;反应腔采用感应线圈加热,提供均匀温场,从而确保优异工艺指标。

 

产品优势:

•专利独立五路进气喷嘴设计,工艺精度再升级
•多种混气机制,提供多元工艺需求
•热壁感应加热系统,温场均匀
•全自动化高温取放片模组,实现无人工厂
•SECS/GEM对接能力,远程监控触手可及
•高产出、低生产成本,投资回报最大化
•优异的产品指标,提高器件性能
碳化硅外延CVD
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