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SICE-Y6/8 碳化硅外延CVD

应用于导电型SiC功率器件：电动汽车/充电桩、光伏新能源、轨道交通等

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工业型设备

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产品描述

测试结果

代表论文

SICE-Y6/8的SiC外延工艺兼容6英寸和8英寸，可实现P&N型掺杂。
反应腔采用水平热壁式设计，自有五路进气喷嘴和多元混气设计，形成稳定均匀流场；反应腔采用感应线圈加热，提供均匀温场，从而确保优异工艺指标。

产品优势：

•专利独立五路进气喷嘴设计，工艺精度再升级
•多种混气机制，提供多元工艺需求
•热壁感应加热系统，温场均匀
•全自动化高温取放片模组，实现无人工厂
•SECS/GEM对接能力，远程监控触手可及
•高产出、低生产成本，投资回报最大化
•优异的产品指标，提高器件性能

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金刚石CVD

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