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SICE-Y6 碳化硅外延CVD系统
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产品描述
测试结果
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SICE-Y6用于4、6英寸的SiC外延工艺，可实现P&N型掺杂。
反应腔采用水平热壁式设计，内部设有旋转机构，能够形成稳定的气流场；整个反应腔采用感应线圈加热，能够形成均匀的温度场，从而保证优异的工艺指标。
产品优势：
•热壁感应加热系统，温度场均匀；
•专利的多区进气系统，利于工艺参数调控；
•高温加载/卸载晶圆，升/降温速率快，提高生产效率；
•高生长速率，提高设备产能；
•优异的产品指标，提高器件性能；
•设备占地面积小。
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