韫茂科技在此次会议上向大家分享了关于化合物半导体领域发展的独特见解，展示韫茂科技在大尺寸碳化硅外延炉上的独特设计与多元应用，也与众多行业专家及潜在合作伙伴进行了技术交流与合作探讨。

会议上，韫茂科技顾问台湾阳明交通大学郭政煌教授围绕公司基本情况、产品布局、6/8寸碳化硅外延炉独特优势及多元应用等方面展开了精彩演讲。

郭教授认为在第三代半导体氮化镓或碳化硅外延都存在着掺杂不均匀的问题，进而导致制程后器件良率下降，而其中最主要的一个原因是掺杂源其扩散曲线（diffusion curve）不同于硅源和碳源，要解决掺杂源（氮源）扩散曲线不一致问题，必须从反应气体进气口设计着手，韫茂大尺寸碳化硅外延设备SICE-Y6/8 搭配专利反应气体进气喷嘴，有效减少downfall particle和改善外延掺杂均匀性，可以应用于光伏新能源、轨道交通等多个领域。