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产品

PRODUCT

产品分类

工业型设备

ALD

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Plasma Batch ALD

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PBATCH 批次等离子体ALD PBATCH-A300 批次等离子体ALD（EFEM可选） Multi Pbatch 批次等离子体ALD

Thermal Batch ALD

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CBATCH 100s 批次热ALD CBATCH 300s 批次热ALD

12 inch ALD

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QBT-A 300 CLUSTER 高真空等离子体 ALD 集群系统

CVD

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MPCVD 金刚石CVD

Epitaxy

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SICE-Y8 碳化硅外延CVD系统

Powder ALD/CVD

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KG 工业级粉末ALD

SCA 工业级粉末CVD

PVD

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QBT-J 300 超高真空互联多腔体互联约瑟夫森结制造系统

QBT-P300 Cluster 超高真空磁控溅射集群系统

研发型设备

ALD

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Single Wafer ALD

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QBT-ADS 双腔高真空双面镀膜PEALD设备 QBT-A
双腔室高真空等离子体ALD MINI 科研型桌式ALD

Sputter

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单阴极垂直溅射系列

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PVD100
双腔室高真空磁控溅射系统 QBT-P
双腔室超高真空磁控溅射系统 QBT-P L3
三腔室超高真空磁控溅射系统

多阴极垂直溅射系列

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QBT-MPV
双腔室多靶枪公转超高真空磁控溅射系统

多阴极共聚焦溅射系列

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QBT-MPC
双腔室多靶枪共聚焦超高真空磁控溅射系统 QBT-MPC 2000 双腔室多靶枪共聚焦超高真空磁控溅射镀膜系统

定制系列（MP L）

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QBT-MP·L3 多腔室超高真空磁控溅射系统

Evaporator

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QBT-J 四腔室双倾角超高真空镀膜系统

QBT-E 双腔室超高真空电子束蒸发镀膜系统

QBT-I 双腔室高速镀膜系统

PECVD

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QBT-C200 高真空等离子体增强化学气相沉积系统

Powder ALD

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GM 研发型粉末ALD

QBT-T 双腔室等离子体硅片及粉末ALD

工业型设备 相关产品

ALD

CVD

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MPCVD 金刚石CVD

可实现高质量金刚石单晶、多晶薄膜生长，用于核心的第四代宽禁带半导体器件制造。

Epitaxy

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SICE-Y8 碳化硅外延CVD系统

SICE-Y6/8的SiC外延工艺兼容6英寸和8英寸，可实现P&N型掺杂。反应腔采用水平热壁式设计，自有五路进气喷嘴和多元混气设计，形成稳定均匀流场；反应腔采用感应线圈加热，提供均匀温场，从而确保优异工艺指标。

Powder ALD/CVD

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KG 工业级粉末ALD

能够在微米级粉末表面包覆原子层级到纳米层级的范围内的厚度，具有超高灵敏度、均一性和重复性;全自动原位厚度测试系统，实时观测生长速率及厚度功能，系统具有较高整体性和稳定性，并具有较高的自动化程度，操作方便、扩展灵活。
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SCA 工业级粉末CVD

进行硅沉积/碳包覆，可实现高沉积均匀性与高包覆完整性，具备优异的批次稳定性与重复性

PVD

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QBT-J 300 超高真空互联多腔体互联约瑟夫森结制造系统

QBT-J 300 为符合半导体标准的超高真空多腔体互联系统，集成了设备前端模块、进样室、出样室、中央传输模块、预处理腔体、离子束刻蚀腔体、电子束蒸发腔体以及氧化腔体，整套系统配备人机交互系统，可以对接天车系统，采用FOUP进样，工艺过程可以全自动运行，同时满足低颗粒度工艺需求，制造高质量的约瑟夫森结器件。
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QBT-P300 Cluster 超高真空磁控溅射集群系统

具备超高真空背景环境，全自动操作，可在高温和常温下实现高质量钽膜生长，钽膜的Tc超过4.25 K，剩余电阻比大于6，用于制备低损耗超导电路，单光子品质因数超过100万，且对应的量子比特相干时间超过250μs。
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