QBT-MP·L3 三腔室超高真空磁控溅射系统 - 专为12英寸芯片与高相干性约瑟夫森结制备而生

QBT-MP·L3 多腔室超高真空磁控溅射系统

韫茂科技产品概况

超导Ta/TiN/NbN/Al/Nb等制备

韫茂科技技术优势

基板加热：RT-900ºC

晶圆尺寸：最大支持8寸晶圆，并向下兼容

排气速率：从ATM到1E-7Torr<20min (loadlock)

超高真空腔体：多个超高真空腔体,包括Loadlock及Sputtering, 极限真空<3E-9Torr

磁控溅射：直流（DC）或射频（RF）电源, 基板与靶材距离连续可调

基板传输：高度可靠和可重复的基板传输能力

人机界面：全自动化人机操作界面

产品分类

工业型设备

ALD

Plasma Batch ALD

PBATCH 批次等离子体ALD PBATCH-A300 批次等离子体ALD（EFEM可选） Multi Pbatch 批次等离子体ALD

Thermal Batch ALD

CBATCH 100s 批次热ALD CBATCH 300s 批次热ALD

12 inch ALD

QBT-A 300 CLUSTER 高真空等离子体 ALD 集群系统

CVD

MPCVD 金刚石CVD

Epitaxy

SICE-Y8 碳化硅外延CVD系统

Powder ALD/CVD

KG 工业级粉末ALD

SCA 工业级粉末CVD

PVD

QBT-J 300 超高真空互联多腔体互联约瑟夫森结制造系统

QBT-P300 Cluster 超高真空磁控溅射集群系统

研发型设备

ALD

Single Wafer ALD

QBT-ADS 双腔高真空双面镀膜PEALD设备 QBT-A
双腔室高真空等离子体ALD MINI 科研型桌式ALD

Sputter

单阴极垂直溅射系列

PVD100
双腔室高真空磁控溅射系统 QBT-P
双腔室超高真空磁控溅射系统 QBT-P L3
三腔室超高真空磁控溅射系统

多阴极垂直溅射系列

QBT-MPV
双腔室多靶枪公转超高真空磁控溅射系统

多阴极共聚焦溅射系列

QBT-MPC
双腔室多靶枪共聚焦超高真空磁控溅射系统 QBT-MPC 2000 双腔室多靶枪共聚焦超高真空磁控溅射镀膜系统

定制系列（MP L）

QBT-MP·L3 多腔室超高真空磁控溅射系统

Evaporator

QBT-J 四腔室双倾角超高真空镀膜系统

QBT-E 双腔室超高真空电子束蒸发镀膜系统

QBT-I 双腔室高速超高真空镀膜系统

PECVD

QBT-C200 高真空等离子体增强化学气相沉积系统

Powder ALD

GM 研发型粉末ALD

QBT-T 双腔室等离子体硅片及粉末ALD

应用领域

光学领域

半导体

钙钛矿

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QBT-P 双腔室超高真空磁控溅射系统

具备超高真空背景环境，全自动操作，可实现高质量薄膜沉积，目前韫茂QBT-P磁控溅射系列可生长出高质量α相钽膜，在高温和常温下都可以得到高质量的钽膜，钽膜的Tc超过4.25 K，并且剩余电阻比大于6。用韫茂QBT-P 系列制备的Ta可实现低损耗的超导电路制备，单光子品质因数超过100万，且对应的量子比特相干时间超过250μs

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