QBT-MPL3 三腔室多靶枪共聚焦超高真空磁控溅射系统

韫茂科技产品概况

QBT-MPL3可用于超导Ta / TiN / NbN / Al / Nb 等制备。

韫茂科技技术优势

基板加热：RT-900ºC

晶圆尺寸：最大支持8寸晶圆，并向下兼容

排气速率：从ATM到1E-7Torr<20min (loadlock)

超高真空腔体：多个超高真空腔体,包括Loadlock及Sputtering, 极限真空<3E-9Torr

磁控溅射：直流（DC）或射频（RF）电源, 基板与靶材距离连续可调

基板传输：高度可靠和可重复的基板传输能力

人机界面：全自动化人机操作界面

产品分类

工业型设备

ALD

Plasma Batch ALD

PBATCH-350S 批次等离子体ALD PBATCH-A300 批次等离子体ALD（EFEM） Multi PBATCH 批次等离子体ALD（EFEM可选）

Thermal Batch ALD

CBATCH 100X 批次热ALD（单腔） CBATCH 300X 批次热ALD（多腔）

12 inch ALD

QBT-A 300 CLUSTER 8/12英寸 ALD 集群系统

CVD

MPCVD 金刚石微波等离子体CVD

Epitaxy

SICE-Y8 工业型碳化硅外延CVD

Powder ALD/CVD

KG 工业型粉末ALD

SCA 工业型硅碳负极流化床CVD

PVD

QBT-J 300 Cluster 8/12英寸双倾角集群系统

QBT-P300 Cluster 8/12英寸磁控溅射集群系统

研发型设备

ALD

Single Wafer ALD

QBT-A
单面高真空等离子体ALD TEM 桌面式ALD QBT-ADS 双面高真空等离子体ALD设备

Sputter

单阴极垂直溅射系列

PVD100
双腔室高真空磁控溅射系统 QBT-P
双腔室超高真空磁控溅射系统 QBT-PL3
三腔室超高真空磁控溅射系统

多阴极垂直溅射系列

QBT-MPV
双腔室多靶枪公转超高真空磁控溅射系统

多阴极共聚焦溅射系列

QBT-MPC
双腔室多靶枪共聚焦超高真空磁控溅射系统 QBT-MPC 2000 双腔室多靶枪共聚焦超高真空磁控溅射镀膜系统

离子束溅射系列

QBT-IBS 超高真空离子束溅射系统

离轴溅射系列

QBT-OAS 离轴磁控溅射系统

定制系列（MP L）

QBT-MPL3 三腔室多靶枪共聚焦超高真空磁控溅射系统 QBT-MPL4 四腔室多靶枪共聚焦超高真空磁控溅射系统

Evaporator

QBT-J 四腔室双倾角超高真空镀膜系统

QBT-J Compact 紧凑型双腔室双倾角超高真空镀膜系统

QBT-E 双腔室超高真空电子束蒸发镀膜系统

QBT-I 双腔室高速铟蒸发超高真空镀膜系统

QBT-I 双腔室高速热蒸发镀铟系统

PECVD

QBT-C200 等离子体增强PECVD

Powder ALD

GM 研发型粉末ALD

QBT-T 双腔室等离子体硅片及粉末ALD

应用领域

量子计算、半导体、光电子

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