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ALD
原子层沉积（atomic layer deposition,ALD）,是一种特殊的化学气相沉积技术，是通过将气相前驱体脉冲 交替通入反应腔室并在沉积基体表面发生化学吸附反应形成薄膜的一种方法具有优异的三维共型性，均匀性 精确的纳米级膜厚控制等特点。
以经典的三甲基铝与水反应生成氧化铝为例：
半反应a：-OH∗ + Al(CH3)3(g ) → - O - Al(CH3)2∗ + CH4(g)
半反应b：- O - Al(CH3)2 + 2H2O(g) → - O - Al(OH)2∗ + 2CH4(g)
总反应：2Al(CH3)3 + 3H2O → Al2O3 + 6CH4
ALD作为一种新型的化学气相包覆手段，能够实现对被包覆材料不规则表面的完全赋型包覆它具有如下特点：
线性可控的包覆层厚度，0.1~0.2nm/cycle；
包覆层均匀且致密；
低温生长，部分薄膜可室温下生长；
可多组分叠层结构生长；
包覆材料选择多样性。
ALD 相关产品
Single Wafer ALD
QBT-A 单面高真空等离子体ALD
QBT-A 以超高真空（UHV）设计为核心技术亮点，是国内首家适用于高端研发及生产制造的高真空等离子体增强原子层沉积系统（HV-PEALD），大幅降低系统泄漏率，有效抑制杂质混入，从源头保障薄膜纯度。配备无氧陶瓷等离子体发生器，搭配客户提供的气体纯化器，能显著降低氮化物薄膜中氧杂质含量，满足高端器件对薄膜质量的严苛要求。
TEM 桌面式ALD
TEM系列设备是操作简单、功能强大的桌面式原子层沉积系统。可在4/6寸晶圆和微纳米粉体上实现均匀可控的原子层沉积，是先进能源材料、新型纳米材料研究与应用的最佳研发工具。
QBT-ADS 双面高真空等离子体ALD设备
QBT-ADS 采用双面镀膜专属设计，可实现晶圆样品双面镀，超导TSV同步均匀沉积，无需二次翻面操作，大幅提升生产效率与薄膜一致性，适配对双面薄膜性能均有严格要求的高端应用场景；同时搭载全自动传片系统，实现样品传输全程无人工干预，提升作业效率，从根本上避免人为操作带来的污染隐患。延续QBT-A的超高真空（UHV）设计，优化腔室密封结构，大幅降低系统泄漏率，有效抑制杂质混入，从源头保障薄膜纯度，尤其能显著降低氮化物超导薄膜中氧杂质含量，精准匹配高端器件对薄膜质量的严苛要求。
