QBT-P 双腔室超高真空磁控溅射系统
产品概况
具备超高真空背景环境，全自动操作，可实现高质量薄膜沉积，目前韫茂QBT-P磁控溅射系列可生长出高质量α相钽膜，在高温和常温下都可以得到高质量的钽膜，钽膜的Tc超过4.25 K，并且剩余电阻比大于6。 用韫茂QBT-P 系列制备的Ta可实现低损耗的超导电路制备，单光子品质因数超过100万，且对应的量子比特相干时间超过250μs
技术优势
基板加热：RT-900ºC
晶圆尺寸：最大支持12寸晶圆，并向下兼容
排气速率：从ATM到1E-7Torr<20min (loadlock)
磁控溅射：直流（DC）或射频（RF）电源, 基板与靶材距离连续可调
超高真空腔体：2个超高真空腔体,包括Loadlock及Sputtering, 极限真空<3E-9Torr
离子束刻蚀不均匀性：8英寸晶圆，刻蚀不均匀性<±5% （去边 5mm）
预处理功能：薄膜表面钝化，射频等离子体清洗，300℃高温除气
镀膜均匀性：8英寸晶圆，不均匀性<±5% （去边5 mm）
人机界面：全自动化人机操作界面
