QBT-C200 高真空等离子体增强化学气相沉积系统
产品概况
QBT-C200是专为超导量子技术设备制备需求打造的高密度等离子体沉积专用设备，采用ICP-PECVD 技术，具有较高的等离子体浓度和较低的等离子体损伤的，适用于高质量、低损伤的薄膜沉积，核心适配超导量子器件中氮化硅（Si₃N₄）、氧化硅（SiO₂）关键介质薄膜的高精度、高稳定性、低缺陷沉积；可在半导体（硅及三五族化合物）、氧化硅等超导量子器件常用衬底上，高质量沉积 SiO₂、Si₃N₄、SiOxNy 等介质膜，兼顾非晶硅、微晶硅等薄膜制备能力，适配最大 8 吋晶圆 / 载片器，是超导量子器件核心介质层制备的关键工艺设备。 设备搭载 13.56MHz 平板感应耦合等离子体源，采用全自动阻抗匹配方案；加热模块配置氦气传热，温度控制范围覆盖室温至 + 400℃，可制备出应力范围 - 200MPa~50MPa（膜厚 1000~1500Å）的高质量低应力薄膜，薄膜片内不均匀性＜2%、片间不均匀性＜2%。设备配备全自动等离子体清洁工艺，且搭载终点检测（Endpoint）装置，保障工艺稳定性与清洁效果。
技术优势
样品尺寸：up to 8 inch
工艺温度：RT~400°C
8×全金属密封MFC，Ether CAT通讯，配备颗粒过滤器和截止阀；
工艺气体：非腐蚀性气体：N2、AR、O2、NF3/CF4、腐蚀性气体：5%稀释SiH4、NH3)、预留两路气体接口：参考N20、H2
预真空室：支持8英寸晶圆样品快速进样；
高真空反应腔室：采用ICP-PECVD 技术方案，特别适用于硅基绝缘层的低温沉积高质量沉积 SiO₂、Si₃N₄、SiOxNy 等介质膜；
全自动腔体清洁系统，配备终点检测；
