QBT-J compact 紧凑型双腔室双倾角超高真空镀膜系统
产品概况
QBT-J compact相比原本的J，其优势在于，提升硬件可靠性，流程加速提升产能；同一个主工艺腔内连续、原位完成工艺，原位连续处理提升工艺完整性、连续性、均匀性和可控性，适用于对界面纯净度与参数一致性要求极高的器件（如超导量子芯片的约瑟夫森结）
技术优势
超高真空腔体：包含四个腔体，进样腔、离子刻蚀腔、电子束蒸发腔、氧化腔
样品尺寸：最大支持8英寸晶圆，兼容碎片
基板加热：RT-900ºC 或液氮冷却
进样腔极限真空：≤5E-9 Torr
溅射腔极限真空：≤9E-10 Torr
电蒸发室极限真空：≤9E-10 Torr
氧化室极限真空：＜1*10E-9 Torr
镀膜均匀性：< ±2% (8英寸晶圆，去边5mm）
精准传输，支持双倾角镀膜
手动放样，全自动传输
全自动工艺，出厂自带程序，支持定制
