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单阴极垂直溅射系列
PVD100 双腔室高真空磁控溅射系统
PVD-100 包含两个超高真空腔体：进样腔和磁控溅射腔，全自动化人机操作界面，采用单靶枪垂直向下溅射方案，支持射频和直流电源，可用于沉积金属或非金属材料。
QBT-P 双腔室超高真空磁控溅射系统
具备超高真空背景环境，全自动操作，可实现高质量薄膜沉积，目前韫茂QBT-P磁控溅射系列可生长出高质量α相钽膜，在高温和常温下都可以得到高质量的钽膜，钽膜的Tc超过4.25 K，并且剩余电阻比大于6。 用韫茂QBT-P 系列制备的Ta可实现低损耗的超导电路制备，单光子品质因数超过100万，且对应的量子比特相干时间超过250μs
QBT-P L3 三腔室超高真空磁控溅射系统
QBT-P L3 包含三个工艺腔体。它比 QBT-P 多一个溅射腔，能够制备多层结构，如 Nb/Al-AlOx/Nb、Al/AlOx/Al，甚至是 α-Ta/TaOx/α-Ta。该系统同样兼容基于种子层的工艺。
