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单阴极垂直溅射系列
PVD100 双腔室高真空磁控溅射系统
PVD-100 包含两个超高真空腔体：进样腔和磁控溅射腔，全自动化人机操作界面，采用单靶枪垂直向下溅射方案，支持射频和直流电源，可用于沉积金属或非金属材料。
QBT-P 双腔室超高真空磁控溅射系统
具备超高真空背景环境，全自动操作，可实现高质量薄膜沉积，目前韫茂QBT-P磁控溅射系列可生长出高质量α相钽膜，在高温和常温下都可以得到高质量的钽膜，钽膜的Tc超过4.25 K，并且剩余电阻比大于6。 用韫茂QBT-P 系列制备的Ta可实现低损耗的超导电路制备，单光子品质因数超过100万，且对应的量子比特相干时间超过250μs
QBT-P L3 三腔室超高真空磁控溅射系统
QBT-P L3 包含三个工艺腔体。它比 QBT-P 多一个溅射腔，能够制备多层结构，如 Nb/Al-AlOx/Nb、Al/AlOx/Al，甚至是 α-Ta/TaOx/α-Ta。该系统同样兼容基于种子层的工艺。
多阴极共聚焦溅射系列
QBT-MPC 双腔室多靶枪共聚焦超高真空磁控溅射系统
QBT-MPC 包含两个超高真空腔体, 进样腔和磁控溅射腔，配备全自动化人机操作界面。该系统配备了多个溅射靶枪，并且可进行原位倾斜，用于共聚焦溅射工艺。QBT-MPC 是最先进的溅射系统，可以用于多个材料领域，例如自旋电子器件、拓扑材料、相变材料、超导材料等。
QBT-MPC 2000 双腔室多靶枪共聚焦超高真空磁控溅射镀膜系统
主要用于高质量低微波损耗超导薄膜的生长，助力高性能超导量子芯片的研发，同时可用于超薄多层合金的磁性薄膜生长和高质量磁性隧道结的制备。该产品所用小型靶材系列可帮助科研工作者在柔性衬底上生长高质量的ITO薄膜生长或者产业LED芯片制造过程中的光学薄膜生长。
