QBT-J 四腔室双倾角超高真空镀膜系统
产品概况
QBT-J采用线性级联技术，集成了进样/预处理、离子铣、蒸发以及氧化四个腔室。专业设计的机械结构可实现低摩擦的晶圆传输和运动。整套系统全自动运行，操作简单，易于维护，并且采用抓取传送方式，减少了颗粒物的产生。
技术优势
超高真空腔体：4个超高真空腔体,包括进样腔，离子束刻蚀腔，蒸发腔，氧化腔
基板加热：RT-900ºC
晶圆尺寸：最大支持8英寸晶圆，并且向下兼容
氧化：支持不同压力等级的动态氧化和静态氧化
电子束蒸发源：超高真空密封多束袋电子束蒸发源
镀膜均匀性：8英寸晶圆，镀膜不均匀性<±2% （去边 5mm）
离子束刻蚀：8英寸晶圆，刻蚀不均匀性<±5% （去边 5mm）
基板操控能力：可实现180度倾斜及360度旋转，0.1度的精准控制
应用领域
FAQ
QBT-J的进样腔，离子束刻蚀腔，蒸发腔，氧化腔的极限真空分别是多少？
分别为≤5E-9Torr，≤9E-10Torr，≤9E-10Torr，≤1*10E-9Torr，
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