QBT-P L3 三腔室超高真空磁控溅射系统
产品概况
QBT-P L3 包含三个工艺腔体，比 QBT-P 多一个溅射腔，能够制备多层结构，如 Nb/Al-AlOx/Nb、Al/AlOx/Al，甚至是 α-Ta/TaOx/α-Ta。该系统同样兼容基于种子层的工艺。
技术优势
超高真空腔体：多个超高真空腔体,包括Loadlock及Sputtering, 极限真空<3E-9Torr
基板加热：RT-900ºC
人机界面：全自动化人机操作界面
安全：工业标准安全互锁，报警，EMO
晶圆尺寸：最大兼容6英寸晶圆，且向下兼容
基板传输：高度可靠和可重复的基板传输能力
排气速率：从ATM到1E-7Torr<20min (loadlock)
均匀性：4英寸晶圆，不均匀性<±5% （去边5 mm）
磁控溅射：直流（DC）或射频（RF）电源, 基板与靶材距离连续可调
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