工业型设备
研发型设备
ALD
Plasma Batch ALD
PBATCH 批次等离子体ALD
Thermal Batch ALD
CBATCH 100s 批次热ALD
CBATCH 300s 批次热ALD
CVD
MPCVD 金刚石CVD
Epitaxy
SICE-Y8 碳化硅外延CVD系统
Powder ALD/CVD
KG 工业级粉末ALD
SCA 工业级粉末CVD
Single Wafer ALD
QBT-A 双腔室高真空等离子体ALD
MINI 科研型桌式ALD
Sputter
单阴极垂直溅射系列
PVD100 双腔室高真空磁控溅射系统
QBT-P 双腔室超高真空磁控溅射系统
QBT-P L3 三腔室超高真空磁控溅射系统
多阴极垂直溅射系列
QBT-MPV 双腔室多靶枪公转超高真空磁控溅射系统
多阴极共聚焦溅射系列
QBT-MPC 双腔室多靶枪共聚焦超高真空磁控溅射系统
定制系列（MP L）
QBT-MP·L3 多腔室超高真空磁控溅射系统
Evaporator
QBT-J 四腔室双倾角超高真空镀膜系统
QBT-E 双腔室超高真空电子束蒸发镀膜系统
QBT-I 双腔室高速镀膜系统
Powder ALD
GM 研发型粉末ALD
QBT-T 双腔室等离子体硅片及粉末ALD
产品
PRODUCT
产品分类
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4/6 inch LED 生产线的原子层沉积系统，面向图形化和平面蓝宝石衬底微纳器件氧化层封装镀膜的需要。
多片批次式ALD，能够实现全自动、多片、连续化生产，有效提高产能，降低COO；能够实现原子级别的精确控制，ALD沉积薄膜无针孔，质量高，可作为高K值介质层，金属层，封装层，电镀种子层及其他功能层应用，广泛应用于Mini/Micro LED，第三代半导体，以及集成电路制造等领域。
