QBT-P300 Cluster 超高真空磁控溅射集群系统
产品概况
具备超高真空背景环境，全自动操作，可在高温和常温下实现高质量钽膜生长，钽膜的Tc超过4.25 K，剩余电阻比大于6，用于制备低损耗超导电路，单光子品质因数超过100万，且对应的量子比特相干时间超过250μs。
技术优势
晶圆尺寸：最大兼容12英寸，并向下兼容
进样腔极限真空：≤5E-9 Torr
溅射腔极限真空：≤5E-10 Torr
镀膜均匀性：<2%
IM腔刻蚀均匀性：1δ<5%
溅射沉积温度：0-900℃
手动放样，全自动传输
腔体采用316L不锈钢材质，电解抛光工艺
溅射腔体采用进口冷泵，极限真空≤3E-9Torr
全自动靶基距调整（60mm-140mm）
