QBT-MPC 2000 双腔室多靶枪共聚焦超高真空磁控溅射镀膜系统
产品概况
主要用于高质量低微波损耗超导薄膜的生长，助力高性能超导量子芯片的研发，同时可用于超薄多层合金的磁性薄膜生长和高质量磁性隧道结的制备。最后该产品所用小型靶材系列可帮助科研工作者在柔性衬底上生长高质量的ITO薄膜生长或者产业LED芯片制造过程中的光学薄膜生长。
技术参数
进样腔极限真空：5E-9 Torr
溅射腔极限真空：3E-10 Torr
镀膜均匀性：去边5mm RU<±2%
溅射沉积温度：加热器最高900℃
晶圆尺寸：最多兼容4英寸晶圆，并向下兼容
工艺展示
Nb XRD
Tc
相关产品
QBT-MPV 双腔室多靶枪公转超高真空磁控溅射系统
QBT-MPV 为QBT-P的升级版系统。较于QBT-P，QBT-MPV在一个溅射腔中可最多包含4个靶枪（按需），可进行多层工艺，例如Nb/Al-AlOx/Nb, Al/AlOx/Al, 或者 α-Ta/TaOx/α-Ta。该系统同样兼容基于种子层的工艺。
QBT-MPC 双腔室多靶枪共聚焦超高真空磁控溅射系统
QBT-MPC 主要用于高质量低微波损耗超导薄膜的生长，助力高性能超导量子芯片的研发，同时可用于超薄多层合金的磁性薄膜生长和高质量磁性隧道结的制备。
QBT-MPL3 三腔室多靶枪共聚焦超高真空磁控溅射系统
QBT-MPL3可用于超导Ta / TiN / NbN / Al / Nb 等制备。
