QBT-A 双腔室高真空等离子体ALD
产品概况
用于低氧含量的薄膜沉积，主要应用于 TiN 沉积，例如射频电路超低损耗和 TSV 填充工艺。其独特的设计最大限度地减少了工艺腔室中的氧含量。
技术优势
工艺腔极限真空：<5E-8Torr
高精准样品加热控制：RT-500±1ºC
等离子体：最大600W射频（RF）自匹配电源
臭氧发生器：可选配，生产效率15g/h
最大基板尺寸：Ф200mm，氧化铝均匀性<1%
前驱体：最大可包括3组等离子体反应气体 4组液态或固态反应前驱体
应用领域
FAQ
QBT-A可以做哪些工艺？
TiN、SiN、AlN、NbN等氮化物、SiO2、Al2O3、HfO2、TiO2等氧化物、Mo、Cu
QBT-A可以做多大尺寸的wafer？
8寸及以下
QBT-A的氮化物薄膜含氧量可以做到多低？
配备分子泵，极限真空达5E-8torr以下，并配备气体纯化器，氮化物薄膜的氧量≤0.5%
QBT-A的PE-TiN常温电阻率可以做到多低？
30nm PE-TiN常温电阻率≤70μΩ-cm
QBT-A的NbN薄膜超导临界温度可以做到多少K?
20nm NbN薄膜的Tc可以做到14K
