Multi Pbatch 批次等离子体ALD
产品概况
Multi Pbatch ALD设备可在极宽的温度窗口(50℃-300℃)内，实现高质量的等离子体增强原子层薄膜沉积工艺，并兼容纯热式原子层薄膜沉积工艺。可在4、6、8、12英寸硅晶圆、化合物晶圆、玻璃晶圆、玻璃镜片、有机高分子镜片、金属或陶瓷等材质的基底沉积SiO2、Al2O3、TiO2、ZrO2、Ta2O5、AlN、TiN等高质量的薄膜。该设备具有极优的镀膜均匀性、重复性及可靠性，同时兼顾优异的产能、良率，及成本控制。
技术优势
12英寸范围内膜厚不均匀性<2.0%, 批次内膜厚不均匀性<2.5%，批次间膜厚差异<2.5%.
一批次可装载20盘12英寸的光学镜片载盘；或一批次装载25片12英寸的晶圆。
等离子体辅助成膜，可进行低温沉积工艺，工艺温度覆盖50℃至300℃.
批次式多层载盘设备，大幅提高设备的产能。
可兼容晶圆、光学镜片、球体/半球/非球面/多面体/圆柱/光纤、电路板、电子元器件等镀膜。
可根据样品尺寸和形态，定制载盘方案。
可在整个样品的外表面及3D 微纳结构上进行保形沉积
可在同一工艺腔室内实现等离子体清洗，及SiO2、Al2O3、TiO2、 ZrO2、Ta2O5、AlN、TiN不同薄膜的任意组合交替沉积。
可选配自动化传输及手动传输方案。
