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Multi PBATCH 批次等离子体ALD(EFEM可选)

韫茂科技产品概况

Multi Pbatch设备可在极宽的温度窗口(50℃-300℃)内,实现高质量的等离子体增强原子层薄膜沉积工艺,并兼容纯热式原子层薄膜沉积工艺。可在4、6、8、12英寸硅晶圆、化合物晶圆、玻璃晶圆、玻璃镜片、有机高分子镜片、金属或陶瓷等材质的基底沉积高质量的薄膜。该设备具有极优的镀膜均匀性、重复性及可靠性,同时兼顾优异的产能、良率及成本控制。

韫茂科技技术优势

批次式多层载盘设备,大幅提高设备的产能

可兼容晶圆、光学镜片、球体/半球/非球面/多面体/圆柱/光纤、电路板、电子元器件等镀膜

可根据样品尺寸和形态,定制载盘方案

可在整个样品的外表面及3D微纳结构上进行保形沉积

可在同一工艺腔室内实现等离子体清洗,及SiO2、Al2O3、TiO2、 ZrO2、Ta2O5、AlN、TiN不同薄膜的任意组合交替沉积

可选配自动化传输及手动传输方案

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PBATCH-350S 批次等离子体ALD
PBATCH-A300 批次等离子体ALD(EFEM)
Multi PBATCH 批次等离子体ALD(EFEM可选)
CBATCH 100X 批次热ALD(单腔)
CBATCH 300X 批次热ALD(多腔)
QBT-A 300 CLUSTER 8/12英寸 ALD 集群系统
MPCVD 金刚石微波等离子体CVD
SICE-Y8 工业型碳化硅外延CVD
KG 工业型粉末ALD
SCA 工业型硅碳负极流化床CVD
QBT-J 300 Cluster 8/12英寸双倾角集群系统
QBT-P300 Cluster 8/12英寸磁控溅射集群系统
QBT-A 单面高真空等离子体ALD
TEM 桌面式ALD
QBT-ADS 双面高真空等离子体ALD设备
PVD100 双腔室高真空磁控溅射系统
QBT-P 双腔室超高真空磁控溅射系统
QBT-PL3 三腔室超高真空磁控溅射系统
QBT-MPV 双腔室多靶枪公转超高真空磁控溅射系统
QBT-MPC 双腔室多靶枪共聚焦超高真空磁控溅射系统
QBT-MPC 2000 双腔室多靶枪共聚焦超高真空磁控溅射镀膜系统
QBT-OAS 离轴磁控溅射系统
QBT-IBS 超高真空离子束溅射系统
QBT-MPL3 三腔室多靶枪共聚焦超高真空磁控溅射系统
QBT-MPL4 四腔室多靶枪共聚焦超高真空磁控溅射系统
QBT-J 四腔室双倾角超高真空镀膜系统
QBT-J Compact 紧凑型双腔室双倾角超高真空镀膜系统
QBT-E 双腔室超高真空电子束蒸发镀膜系统
QBT-I 双腔室高速铟蒸发超高真空镀膜系统
QBT-I 双腔室高速热蒸发镀铟系统
GM 研发型粉末ALD
QBT-C200 等离子体增强PECVD
QBT-T 双腔室等离子体硅片及粉末ALD

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