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QBT-T 双腔室等离子体硅片及粉末ALD

韫茂科技产品概况

用于微纳加工,粉末或极片包覆。

韫茂科技技术优势

腔体:双腔体设计(1个硅片PEALD腔室,1个粉末ALD腔室),每个腔体独立控制,双倍产出

等离子体:最大3kW RF自匹配电源

最大基板尺寸:Ф150mm (可定制)

高精准样品加热控制:RT-300±1ºC

臭氧发生器:可选配,生产效率15g/h

人机界面:全自动化人机操作界面

前驱体:最大可包括3组等离子体反应气体 5组液态或固态反应前驱体

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PBATCH-350S 批次等离子体ALD
PBATCH-A300 批次等离子体ALD(EFEM)
Multi PBATCH 批次等离子体ALD(EFEM可选)
CBATCH 100X 批次热ALD(单腔)
CBATCH 300X 批次热ALD(多腔)
QBT-A 300 CLUSTER 8/12英寸 ALD 集群系统
MPCVD 金刚石微波等离子体CVD
SICE-Y8 工业型碳化硅外延CVD
KG 工业型粉末ALD
SCA 工业型硅碳负极流化床CVD
QBT-J 300 Cluster 8/12英寸双倾角集群系统
QBT-P300 Cluster 8/12英寸磁控溅射集群系统
QBT-A 单面高真空等离子体ALD
TEM 桌面式ALD
QBT-ADS 双面高真空等离子体ALD设备
PVD100 双腔室高真空磁控溅射系统
QBT-P 双腔室超高真空磁控溅射系统
QBT-PL3 三腔室超高真空磁控溅射系统
QBT-MPV 双腔室多靶枪公转超高真空磁控溅射系统
QBT-MPC 双腔室多靶枪共聚焦超高真空磁控溅射系统
QBT-MPC 2000 双腔室多靶枪共聚焦超高真空磁控溅射镀膜系统
QBT-OAS 离轴磁控溅射系统
QBT-IBS 超高真空离子束溅射系统
QBT-MPL3 三腔室多靶枪共聚焦超高真空磁控溅射系统
QBT-MPL4 四腔室多靶枪共聚焦超高真空磁控溅射系统
QBT-J 四腔室双倾角超高真空镀膜系统
QBT-J Compact 紧凑型双腔室双倾角超高真空镀膜系统
QBT-E 双腔室超高真空电子束蒸发镀膜系统
QBT-I 双腔室高速铟蒸发超高真空镀膜系统
QBT-I 双腔室高速热蒸发镀铟系统
GM 研发型粉末ALD
QBT-C200 等离子体增强PECVD
QBT-T 双腔室等离子体硅片及粉末ALD

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