QBT-MPL4 四腔室多靶枪共聚焦超高真空磁控溅射系统
产品概况
QBT-MPL4 可进行全自动传样，具备高均匀性薄膜沉积，配备DC与RF电源，兼容导电与绝缘材料等多种材料；其进样腔配备等射频清洗、气体钝化、高温除气功能；工艺腔样品台配备加热与偏压功能；能够实现多层结构薄膜沉积。
技术优势
进样腔极限真空：≤4E-9 Torr
溅射腔极限真空：≤5E-10 Torr
镀膜均匀性： 4英寸晶圆方阻均匀性优于±1%（2寸阴极）
溅射沉积温度：室温到900℃
晶圆尺寸：最大兼容4英寸，并向下兼容
QBT-MPL4 四腔室多靶枪共聚焦超高真空磁控溅射系统
产品概况
QBT-MPL4 可进行全自动传样，具备高均匀性薄膜沉积，配备DC与RF电源，兼容导电与绝缘材料等多种材料；其进样腔配备等射频清洗、气体钝化、高温除气功能；工艺腔样品台配备加热与偏压功能；能够实现多层结构薄膜沉积。
技术优势
进样腔极限真空：≤4E-9 Torr
溅射腔极限真空：≤5E-10 Torr
镀膜均匀性： 4英寸晶圆方阻均匀性优于±1%（2寸阴极）
溅射沉积温度：室温到900℃
晶圆尺寸：最大兼容4英寸，并向下兼容
