工业型设备
研发型设备
ALD
Plasma Batch ALD
PBATCH 批次等离子体ALD
PBATCH-A300 批次等离子体ALD（EFEM可选）
Multi Pbatch 批次等离子体ALD
Thermal Batch ALD
CBATCH 100s 批次热ALD
CBATCH 300s 批次热ALD
12 inch ALD
QBT-A 300 CLUSTER 高真空等离子体 ALD 集群系统
CVD
MPCVD 金刚石CVD
Epitaxy
SICE-Y8 碳化硅外延CVD系统
Powder ALD/CVD
KG 工业级粉末ALD
SCA 工业级粉末CVD
PVD
QBT-J 300 超高真空互联多腔体互联约瑟夫森结制造系统
QBT-P300 Cluster 超高真空磁控溅射集群系统
Single Wafer ALD
QBT-ADS 双腔高真空双面镀膜PEALD设备
QBT-A 双腔室高真空等离子体ALD
MINI 科研型桌式ALD
Sputter
单阴极垂直溅射系列
PVD100 双腔室高真空磁控溅射系统
QBT-P 双腔室超高真空磁控溅射系统
QBT-P L3 三腔室超高真空磁控溅射系统
多阴极垂直溅射系列
QBT-MPV 双腔室多靶枪公转超高真空磁控溅射系统
多阴极共聚焦溅射系列
QBT-MPC 2000 双腔室多靶枪共聚焦超高真空磁控溅射镀膜系统
QBT-MPC 双腔室多靶枪共聚焦超高真空磁控溅射系统
定制系列（MP L）
QBT-MP·L3 多腔室超高真空磁控溅射系统
Evaporator
QBT-J 四腔室双倾角超高真空镀膜系统
QBT-E 双腔室超高真空电子束蒸发镀膜系统
QBT-I 双腔室高速镀膜系统
PECVD
QBT-C200 高真空等离子体增强化学气相沉积系统
Powder ALD
GM 研发型粉末ALD
QBT-T 双腔室等离子体硅片及粉末ALD
QBT-MPL4 四腔室多靶枪共聚焦超高真空磁控溅射系统
产品概况
QBT-MPL4 可进行全自动传样，具备高均匀性薄膜沉积，配备DC与RF电源，兼容导电与绝缘材料等多种材料；其进样腔配备等射频清洗、气体钝化、高温除气功能；工艺腔样品台配备加热与偏压功能；能够实现多层结构薄膜沉积。
技术优势
进样腔极限真空：≤4E-9 Torr
溅射腔极限真空：≤5E-10 Torr
镀膜均匀性： 4英寸晶圆方阻均匀性优于±1%（2寸阴极）
溅射沉积温度：室温到900℃
晶圆尺寸：最大兼容4英寸，并向下兼容
产品分类
应用领域
半导体
超导量子
光学领域
金属材料
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