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QBT-I 双腔室高速超高真空镀膜系统

韫茂科技产品概况

QBT-I 是一款用于高速蒸镀铟柱的电子束蒸发系统。由于铟熔点较低,需要在低温下沉积,因此该系统配备深冷,可将样品冷却至-70℃,以此保证铟柱表面的光滑,并且配备快速晶振更换模块,可实现铟的连续沉积。此系统为倒装芯片工艺和 3D 堆叠芯片技术提供了解决方案。

韫茂科技技术参数

进样腔极限真空:5E-9 Torr

蒸发室极限真空:3E-9 Torr

镀膜均匀性:150mm 厚1um 去边5mm RU<±5%

样品尺寸:最多兼容6英寸晶圆,并向下兼容

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PBATCH 批次等离子体ALD
PBATCH-A300 批次等离子体ALD(EFEM可选)
Multi Pbatch 批次等离子体ALD
CBATCH 100s 批次热ALD
CBATCH 300s 批次热ALD
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