QBT-I 双腔室高速铟蒸发超高真空镀膜系统
产品概况
QBT-I 是一款用于高速蒸镀铟柱的电子束蒸发系统。由于铟熔点较低，需要在低温下沉积，因此该系统配备深冷，可将样品冷却至-70℃，以此保证铟柱表面的光滑，并且配备快速晶振更换模块，可实现铟的连续沉积。此系统为倒装芯片工艺和 3D 堆叠芯片技术提供了解决方案。
技术参数
进样腔极限真空：5E-9 Torr
蒸发室极限真空：3E-9 Torr
镀膜均匀性：150mm 厚1um 去边5mm RU<±5%
样品尺寸：最多兼容6英寸晶圆，并向下兼容
应用领域
相关产品
QBT-E 双腔室超高真空电子束蒸发镀膜系统
标准化的镀膜系统，超高真空环境可以实现高质量的薄膜沉积：金属( Ti, Al, In, Ta, Cr, Cu) 、氧化物（TiO2, Al2O3, Y2O3, SiO2) 、磁性薄膜( Fe , Co , Ni) 等。样品操作包括倾斜和旋转，或Z轴移动和旋转，从而能够制备三维结构。
QBT-I 双腔室高速热蒸发镀铟系统
QBT-I 是一款紧凑型双腔室高速热蒸发镀铟系统。由于铟熔点低，为了兼顾铟柱表面平滑与侧壁形貌，工艺过程中衬底需要低温，系统可将样品冷却至 -20 ℃。该系统能够连续沉积厚度达 10 μm 的铟。此系统为倒装芯片工艺和 3D 堆叠芯片技术提供了解决方案。
