QBT-I 双腔室高速超高真空镀膜系统
产品概况
QBT-I 是一款用于高速蒸镀铟柱的电子束蒸发系统。由于铟熔点较低,需要在低温下沉积,因此该系统配备深冷,可将样品冷却至-70℃,以此保证铟柱表面的光滑,并且配备快速晶振更换模块,可实现铟的连续沉积。此系统为倒装芯片工艺和 3D 堆叠芯片技术提供了解决方案。
技术参数
进样腔极限真空:5E-9 Torr
蒸发室极限真空:3E-9 Torr
镀膜均匀性:150mm 厚1um 去边5mm RU<±5%
样品尺寸:最多兼容6英寸晶圆,并向下兼容
QBT-I 双腔室高速超高真空镀膜系统
产品概况
QBT-I 是一款用于高速蒸镀铟柱的电子束蒸发系统。由于铟熔点较低,需要在低温下沉积,因此该系统配备深冷,可将样品冷却至-70℃,以此保证铟柱表面的光滑,并且配备快速晶振更换模块,可实现铟的连续沉积。此系统为倒装芯片工艺和 3D 堆叠芯片技术提供了解决方案。
技术参数
进样腔极限真空:5E-9 Torr
蒸发室极限真空:3E-9 Torr
镀膜均匀性:150mm 厚1um 去边5mm RU<±5%
样品尺寸:最多兼容6英寸晶圆,并向下兼容