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QBT-I双腔室高速镀膜系统

韫茂科技产品概况

QBT-I 是一款用于高速蒸镀铟柱的热蒸发系统。由于铟熔点较低，需要在低温下沉积，因此该系统配备深冷，可将样品冷却至-70℃，以此保证铟柱表面的光滑。并且配备快速晶振更换模块，可实现铟的连续沉积。此系统为倒装芯片工艺和 3D 堆叠芯片技术提供了解决方案。

韫茂科技技术优势

超高真空腔体：离子束刻蚀及蒸镀

人机界面：全自动化人机操作界面

极限真空：<3E-8Torr

样品尺寸：最大6寸向下兼容

离子束清洗：考夫曼离子源，基板刻蚀均匀性<±3%

配备深冷，可将样品冷却至-70℃，保证铟柱表面光滑

配备快速晶振更换模块，可实现铟的连续沉积

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产品分类

工业型设备

ALD

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Plasma Batch ALD

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PBATCH 批次等离子体ALD

Thermal Batch ALD

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CBATCH 100s 批次热ALD CBATCH 300s 批次热ALD

CVD

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MPCVD 金刚石CVD

Epitaxy

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SICE-Y8 碳化硅外延CVD系统

Powder ALD/CVD

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KG 工业级粉末ALD

SCA 工业级粉末CVD

研发型设备

ALD

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Single Wafer ALD

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QBT-A
双腔室高真空等离子体ALD MINI 科研型桌式ALD

Sputter

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单阴极垂直溅射系列

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PVD100
双腔室高真空磁控溅射系统 QBT-P
双腔室超高真空磁控溅射系统 QBT-P L3
三腔室超高真空磁控溅射系统

多阴极垂直溅射系列

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QBT-MPV
双腔室多靶枪公转超高真空磁控溅射系统

多阴极共聚焦溅射系列

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QBT-MPC
双腔室多靶枪共聚焦超高真空磁控溅射系统

定制系列（MP L）

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QBT-MP·L3 多腔室超高真空磁控溅射系统

Evaporator

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QBT-J 四腔室双倾角超高真空镀膜系统

QBT-E 双腔室超高真空电子束蒸发镀膜系统

QBT-I 双腔室高速镀膜系统

Powder ALD

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GM 研发型粉末ALD

QBT-T 双腔室等离子体硅片及粉末ALD

应用领域

韫茂科技

电子器件

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MINI 科研型桌式ALD
PVD100 双腔室高真空磁控溅射系统
QBT-P 双腔室超高真空磁控溅射系统
QBT-P L3 三腔室超高真空磁控溅射系统
QBT-MPV 双腔室多靶枪公转超高真空磁控溅射系统
QBT-MPC 双腔室多靶枪共聚焦超高真空磁控溅射系统
QBT-MP·L3 多腔室超高真空磁控溅射系统
QBT-J 四腔室双倾角超高真空镀膜系统
QBT-E 双腔室超高真空电子束蒸发镀膜系统
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