QBT-MPC 双腔室多靶枪共聚焦超高真空磁控溅射系统
产品概况
QBT-MPC 主要用于高质量低微波损耗超导薄膜的生长，助力高性能超导量子芯片的研发，同时可用于超薄多层合金的磁性薄膜生长和高质量磁性隧道结的制备。
技术优势
工艺腔极限真空：≤3E-9 Torr
工艺温度：0-1000°C（无氧环境）
晶圆尺寸：最大支持12寸晶圆，并且向下兼容
均匀性：8英寸晶圆，不均匀性<±3%（去边5 mm）
溅射电源：2x1000W 直流电源（可以选射频电源，按需定制）
镀膜均匀性：薄膜电阻均匀性NU%<±3% (在8英寸晶圆上去除边缘的5mm）
磁控靶枪：最多配置12 × 2 英寸靶枪, 5×4英寸靶枪, 7×3 英寸靶枪 (按需定制)
应用领域
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