QBT-IBS 超高真空离子束溅射系统
产品概况
QBT-IBS 是一种在极高真空环境（通常优于E-9 Torr）下运行的先进薄膜沉积系统，其核心原理是利用惰性气体离子（如氩离子）在电场加速下轰击高纯度靶材，通过动量传递将靶材原子或分子溅射出来，并沉积在衬底上形成高质量薄膜。超高真空环境极大地减少了残留气体分子对溅射粒子的散射和污染，确保了沉积薄膜的高纯度、高致密度和优异的附着力，同时离子束的能量和束流大小可独立精确调控，使得薄膜的厚度、成分和微观结构具有高度的可控性和重复性。该技术特别适用于制备超晶格、多层膜以及氧化物、氮化物等化合物薄膜，在半导体器件、光学镀膜、磁性存储和超导材料等前沿科技领域具有不可替代的关键作用。
技术优势
进样室极限真空：≤5E-8 Torr
沉积腔极限真空：≤7E-10 Torr
离子源配置：RF离子源、DC离子源或者霍尔源
晶圆尺寸：4-8 英寸
晶圆运动：倾斜(精度±0.1°)、自转(精度±0.1°)
薄膜沉积不均匀性:≤±3% (去边5 mm)
靶位数目：最多6靶位
