QBT-I 双腔室高速热蒸发镀铟系统
产品概况
QBT-I 是一款紧凑型双腔室高速热蒸发镀铟系统。由于铟熔点低，为了兼顾铟柱表面平滑与侧壁形貌，工艺过程中衬底需要低温，系统可将样品冷却至 -20 ℃。该系统能够连续沉积厚度达 10 μm 的铟。此系统为倒装芯片工艺和 3D 堆叠芯片技术提供了解决方案。
技术优势
样品尺寸：最大支持4英寸晶圆，兼容碎片
进样室极限真空度：5E-6 Torr
镀膜室极限真空度：5E-8 Torr
镀膜不均匀性：4 inch 基片1σ<5%(材料铟，厚度500nm，晶圆去边 5mm)
支持晶圆深冷，最低-20 ℃
适用于>10um金属铟热蒸发
