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QBT-A 300 CLUSTER 8/12英寸 ALD 集群系统

韫茂科技产品概况

QBT-A300 Cluster 作为QBT-A系列升级产品,兼顾研发与量产双重需求,全面延续其成熟稳定的工艺性能,支持热法、PE两种模式,始终保持低氧含量薄膜沉积的核心优势。核心升级两大关键配置:一是引入超高真空传输平台,优化样品传输真空环境,隔离污染、降低杂质含量,强化氧杂质抑制,为高端薄膜制备提供可靠保障;二是搭载2 foup的Efem(前端模块)系统,大幅提升传输效率与自动化水平,实现多批次样品高效流转,适配中试及量产需求。

韫茂科技技术参数

漏率:小于1x10-9atm cc/s(He)

进样室本底真空:≤ 5x10-6Torr

传输室本底真空:≤ 9x10-8Torr

工艺室本底真空:≤ 5x10-8Torr

样品加热温度:>450℃

镀膜均匀性:<3% (热法沉积 50 nm TiN) ;<4%(PE沉积 50 nm TiN)

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PBATCH-350S 批次等离子体ALD
PBATCH-A300 批次等离子体ALD(EFEM)
Multi PBATCH 批次等离子体ALD(EFEM可选)
CBATCH 100X 批次热ALD(单腔)
CBATCH 300X 批次热ALD(多腔)
QBT-A 300 CLUSTER 8/12英寸 ALD 集群系统
MPCVD 金刚石微波等离子体CVD
SICE-Y8 工业型碳化硅外延CVD
KG 工业型粉末ALD
SCA 工业型硅碳负极流化床CVD
QBT-J 300 Cluster 8/12英寸双倾角集群系统
QBT-P300 Cluster 8/12英寸磁控溅射集群系统
QBT-A 单面高真空等离子体ALD
TEM 桌面式ALD
QBT-ADS 双面高真空等离子体ALD设备
PVD100 双腔室高真空磁控溅射系统
QBT-P 双腔室超高真空磁控溅射系统
QBT-PL3 三腔室超高真空磁控溅射系统
QBT-MPV 双腔室多靶枪公转超高真空磁控溅射系统
QBT-MPC 双腔室多靶枪共聚焦超高真空磁控溅射系统
QBT-MPC 2000 双腔室多靶枪共聚焦超高真空磁控溅射镀膜系统
QBT-OAS 离轴磁控溅射系统
QBT-IBS 超高真空离子束溅射系统
QBT-MPL3 三腔室多靶枪共聚焦超高真空磁控溅射系统
QBT-MPL4 四腔室多靶枪共聚焦超高真空磁控溅射系统
QBT-J 四腔室双倾角超高真空镀膜系统
QBT-J Compact 紧凑型双腔室双倾角超高真空镀膜系统
QBT-E 双腔室超高真空电子束蒸发镀膜系统
QBT-I 双腔室高速铟蒸发超高真空镀膜系统
QBT-I 双腔室高速热蒸发镀铟系统
GM 研发型粉末ALD
QBT-C200 等离子体增强PECVD
QBT-T 双腔室等离子体硅片及粉末ALD

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