QBT-A 300 CLUSTER 高真空等离子体 ALD 集群系统
产品概况
QBT-A300 Cluster 作为QBT-A系列升级产品，兼顾研发与量产双重需求,全面延续其成熟稳定的工艺性能，支持热法、PE两种模式，始终保持低氧含量薄膜沉积的核心优势。核心升级两大关键配置：一是引入超高真空传输平台，优化样品传输真空环境，隔离污染、降低杂质含量，强化氧杂质抑制，为高端薄膜制备提供可靠保障；二是搭载2 foup的Efem（前端模块）系统，大幅提升传输效率与自动化水平，实现多批次样品高效流转，适配中试及量产需求。
技术参数
漏率：小于1x10-9atm cc/s(He)
进样室本底真空：≤ 5x10-6Torr
传输室本底真空：≤ 9x10-8Torr
工艺室本底真空：≤ 5x10-8Torr
样品加热温度：>450℃
镀膜均匀性：<3% （热法沉积 50 nm TiN） ；<4%（PE沉积 50 nm TiN）
