QBT-ADS 双面高真空等离子体ALD设备
产品概况
QBT-ADS 采用双面镀膜专属设计，可实现晶圆样品双面镀，超导TSV同步均匀沉积，无需二次翻面操作，大幅提升生产效率与薄膜一致性，适配对双面薄膜性能均有严格要求的高端应用场景；同时搭载全自动传片系统，实现样品传输全程无人工干预，提升作业效率，从根本上避免人为操作带来的污染隐患。延续QBT-A的超高真空（UHV）设计，优化腔室密封结构，大幅降低系统泄漏率，有效抑制杂质混入，从源头保障薄膜纯度，尤其能显著降低氮化物超导薄膜中氧杂质含量，精准匹配高端器件对薄膜质量的严苛要求。
产品参数
1、工艺温度：RT~500°C
2、工艺腔本底真空：＜5E-8Torr
3、等离子体源：UHV ICP SOURCE
4、前驱体：4 x 500ml 双管源瓶
5、样品尺寸：UP to 8 inch
6、工艺性能：双面和过孔均可实现超导，超导转变温度Tc>4.2k，临界电流密度Ic>15mA/um²
7、镀膜不均匀性：1σ＜3%（30nm TiN，去边5mm，25point)
