TEM 桌面式ALD

韫茂科技产品概况

TEM 桌面式ALD是一款尺寸超小、操作简单、功能强大的桌面式ALD系统,它可以在4/6寸晶圆和微纳米粉体上实现均匀可控的原子层沉积,是先进能源材料、新型纳米材料研究与应用的最佳研发工具。微纳加工首选工具。

韫茂科技技术优势

小巧、安静、便捷

抽屉式装载;全自动人机操作界面

4路源瓶接入,专利设计减少管路死区及冷区

工业级安全控制,是先进能源材料、新型纳米材料研究与应用的最佳研发工具

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FAQ

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MINI有什么亮点和特色?

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集成化程度高,仅有烤箱大小,小巧紧凑。工艺丰富,可以制备HfO2,ZnO,Al203,TiO2等

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MINI具体可以应用于哪些领域?

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半导体领域:High-K电解质、超级电容器、二极管等;纳米催化剂领域:光催化、电化学催化;钙钛矿太阳能电池

相关产品

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QBT-A 单面高真空等离子体ALD

QBT-A 以超高真空(UHV)设计为核心技术亮点,是国内首家适用于高端研发及生产制造的高真空等离子体增强原子层沉积系统(HV-PEALD),大幅降低系统泄漏率,有效抑制杂质混入,从源头保障薄膜纯度。配备无氧陶瓷等离子体发生器,搭配客户提供的气体纯化器,能显著降低氮化物薄膜中氧杂质含量,满足高端器件对薄膜质量的严苛要求。

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GM 研发型粉末ALD

GM系列自动粉末原子层沉积设备可以在微纳米粉体上实现均匀可控的原子层沉积或分子层沉积生长。该系统具有专利粉末样品桶、动态粉末流化机构、全自动温度控制、ALD前驱体源钢瓶、自动温度控制阀、工业级安全控制等设计选项,是先进能源材料、催化剂材料、新型纳米材料研究与应用的最佳研发工具。

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QBT-ADS 双面高真空等离子体ALD设备

QBT-ADS 采用双面镀膜专属设计,可实现晶圆样品双面镀,超导TSV同步均匀沉积,无需二次翻面操作,大幅提升生产效率与薄膜一致性,适配对双面薄膜性能均有严格要求的高端应用场景;同时搭载全自动传片系统,实现样品传输全程无人工干预,提升作业效率,从根本上避免人为操作带来的污染隐患。延续QBT-A的超高真空(UHV)设计,优化腔室密封结构,大幅降低系统泄漏率,有效抑制杂质混入,从源头保障薄膜纯度,尤其能显著降低氮化物超导薄膜中氧杂质含量,精准匹配高端器件对薄膜质量的严苛要求。

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PBATCH-350S 批次等离子体ALD
PBATCH-A300 批次等离子体ALD(EFEM)
Multi PBATCH 批次等离子体ALD(EFEM可选)
CBATCH 100X 批次热ALD(单腔)
CBATCH 300X 批次热ALD(多腔)
QBT-A 300 CLUSTER 8/12英寸 ALD 集群系统
MPCVD 金刚石微波等离子体CVD
SICE-Y8 工业型碳化硅外延CVD
KG 工业型粉末ALD
SCA 工业型硅碳负极流化床CVD
QBT-J 300 Cluster 8/12英寸双倾角集群系统
QBT-P300 Cluster 8/12英寸磁控溅射集群系统
QBT-A 单面高真空等离子体ALD
TEM 桌面式ALD
QBT-ADS 双面高真空等离子体ALD设备
PVD100 双腔室高真空磁控溅射系统
QBT-P 双腔室超高真空磁控溅射系统
QBT-PL3 三腔室超高真空磁控溅射系统
QBT-MPV 双腔室多靶枪公转超高真空磁控溅射系统
QBT-MPC 双腔室多靶枪共聚焦超高真空磁控溅射系统
QBT-MPC 2000 双腔室多靶枪共聚焦超高真空磁控溅射镀膜系统
QBT-OAS 离轴磁控溅射系统
QBT-IBS 超高真空离子束溅射系统
QBT-MPL3 三腔室多靶枪共聚焦超高真空磁控溅射系统
QBT-MPL4 四腔室多靶枪共聚焦超高真空磁控溅射系统
QBT-J 四腔室双倾角超高真空镀膜系统
QBT-J Compact 紧凑型双腔室双倾角超高真空镀膜系统
QBT-E 双腔室超高真空电子束蒸发镀膜系统
QBT-I 双腔室高速铟蒸发超高真空镀膜系统
QBT-I 双腔室高速热蒸发镀铟系统
GM 研发型粉末ALD
QBT-C200 等离子体增强PECVD
QBT-T 双腔室等离子体硅片及粉末ALD

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