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QBT-J 四腔室双倾角超高真空镀膜系统
采用线性级联技术，集成了进样/预处理、离子铣、蒸发以及氧化四个腔室。整套系统全自动运行，操作简单，易于维护，并且采用抓取传送方式，减少了颗粒物的产生。基于QBT-J系列，客户可研发出高质量的超导器件，在诸多领域有广泛的应用前景。
QBT-E 双腔室超高真空电子束蒸发镀膜系统
标准化的镀膜系统，包含两个腔体：进样腔（预处理）和蒸发腔。超高真空环境可以实现高质量的薄膜沉积：金属、介电材料、光学薄膜、磁性薄膜等。样品操作包括倾斜和旋转，或Z轴移动和旋转，从而能够制备三维结构。
QBT-I 双腔室高速镀膜系统
QBT-I 是一款用于高速蒸镀铟柱的热蒸发系统。由于铟熔点较低，需要在低温下沉积，因此该系统配备深冷，可将样品冷却至-70℃，以此保证铟柱表面的光滑，并且配备快速晶振更换模块，可实现铟的连续沉积。此系统为倒装芯片工艺和 3D 堆叠芯片技术提供了解决方案。
