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GM 研发型粉末ALD

韫茂科技产品概况

GM系列自动粉末原子层沉积设备可以在微纳米粉体上实现均匀可控的原子层沉积或分子层沉积生长。该系统具有专利粉末样品桶、动态粉末流化机构、全自动温度控制、ALD前驱体源钢瓶、自动温度控制阀、工业级安全控制等设计选项,是先进能源材料、催化剂材料、新型纳米材料研究与应用的最佳研发工具。

韫茂科技技术优势

良好的均匀性与批次稳定性<3%

前驱体最大可包括2组反应气体,5组液态或固态反应前驱体

可实现高达100ml/1000ml粉末原子层沉积包覆

包覆材料品质优异,材料成分可实现原子层级别单相或多相设计

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应用领域

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锂电池

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催化剂、金属粉等粉体包覆

FAQ

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韫茂科技的粉末ALD包括哪些产品

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韫茂粉末ALD设备包括工业型及科研型两大分类,KG属于工业型设备,主要用于工厂量产,系列产品为KG10、KG20、KG40、KG100

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用ALD包覆与传统的溶液法等相比有什么优势

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ALD 通过原子级精准控制、强界面结合、温和工艺和复杂结构适应性,解决了传统溶液法和固相法在包覆过程中的均匀性差、厚度不可控、基底损伤等核心问题

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GM主要能沉积哪些薄膜

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氧化物:如Al2O3、ZnO2、HfO2、TiO2、SiO2、SnO2等;磷酸盐、含锂化合物:TiPO4、AlPO4、LiNbO3、LixTiyOz等;金属:如 Cu、Pt、W 薄膜

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GM系列的粉末处理量最大是多少

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GM100和GM1000处理量分别为100g及1000g

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GM的应用领域主要有哪些

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锂电领域:用于提升电池性能,改善电极材料性能;催化领域:制备高效催化剂,优化催化剂性能;金属粉末处理领域:改善粉末流动性,提高防潮 / 抗氧化性,改善烧结界面;新材料开发领域:纳米材料表面修饰,制备新型薄膜材料;制药领域:改善粉末性能,实现药剂缓释

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PBATCH-350S 批次等离子体ALD
PBATCH-A300 批次等离子体ALD(EFEM)
Multi PBATCH 批次等离子体ALD(EFEM可选)
CBATCH 100X 批次热ALD(单腔)
CBATCH 300X 批次热ALD(多腔)
QBT-A 300 CLUSTER 8/12英寸 ALD 集群系统
MPCVD 金刚石微波等离子体CVD
SICE-Y8 工业型碳化硅外延CVD
KG 工业型粉末ALD
SCA 工业型硅碳负极流化床CVD
QBT-J 300 Cluster 8/12英寸双倾角集群系统
QBT-P300 Cluster 8/12英寸磁控溅射集群系统
QBT-A 单面高真空等离子体ALD
TEM 桌面式ALD
QBT-ADS 双面高真空等离子体ALD设备
PVD100 双腔室高真空磁控溅射系统
QBT-P 双腔室超高真空磁控溅射系统
QBT-PL3 三腔室超高真空磁控溅射系统
QBT-MPV 双腔室多靶枪公转超高真空磁控溅射系统
QBT-MPC 双腔室多靶枪共聚焦超高真空磁控溅射系统
QBT-MPC 2000 双腔室多靶枪共聚焦超高真空磁控溅射镀膜系统
QBT-OAS 离轴磁控溅射系统
QBT-IBS 超高真空离子束溅射系统
QBT-MPL3 三腔室多靶枪共聚焦超高真空磁控溅射系统
QBT-MPL4 四腔室多靶枪共聚焦超高真空磁控溅射系统
QBT-J 四腔室双倾角超高真空镀膜系统
QBT-J Compact 紧凑型双腔室双倾角超高真空镀膜系统
QBT-E 双腔室超高真空电子束蒸发镀膜系统
QBT-I 双腔室高速铟蒸发超高真空镀膜系统
QBT-I 双腔室高速热蒸发镀铟系统
GM 研发型粉末ALD
QBT-C200 等离子体增强PECVD
QBT-T 双腔室等离子体硅片及粉末ALD

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