工业型设备
研发型设备
ALD
Plasma Batch ALD
PBATCH 批次等离子体ALD
PBATCH-A300 批次等离子体ALD（EFEM可选）
Multi Pbatch 批次等离子体ALD
Thermal Batch ALD
CBATCH 100s 批次热ALD
CBATCH 300s 批次热ALD
12 inch ALD
QBT-A 300 CLUSTER 高真空等离子体 ALD 集群系统
CVD
MPCVD 金刚石CVD
Epitaxy
SICE-Y8 碳化硅外延CVD系统
Powder ALD/CVD
KG 工业级粉末ALD
SCA 工业级粉末CVD
PVD
QBT-J 300 超高真空互联多腔体互联约瑟夫森结制造系统
QBT-P300 Cluster 超高真空磁控溅射集群系统
Single Wafer ALD
QBT-ADS 双腔高真空双面镀膜PEALD设备
QBT-A 双腔室高真空等离子体ALD
MINI 科研型桌式ALD
Sputter
单阴极垂直溅射系列
PVD100 双腔室高真空磁控溅射系统
QBT-P 双腔室超高真空磁控溅射系统
QBT-P L3 三腔室超高真空磁控溅射系统
多阴极垂直溅射系列
QBT-MPV 双腔室多靶枪公转超高真空磁控溅射系统
多阴极共聚焦溅射系列
QBT-MPC 2000 双腔室多靶枪共聚焦超高真空磁控溅射镀膜系统
QBT-MPC 双腔室多靶枪共聚焦超高真空磁控溅射系统
定制系列（MP L）
QBT-MP·L3 多腔室超高真空磁控溅射系统
Evaporator
QBT-J 四腔室双倾角超高真空镀膜系统
QBT-E 双腔室超高真空电子束蒸发镀膜系统
QBT-I 双腔室高速超高真空镀膜系统
PECVD
QBT-C200 高真空等离子体增强化学气相沉积系统
Powder ALD
GM 研发型粉末ALD
QBT-T 双腔室等离子体硅片及粉末ALD
产品概况
SICE-Y6/8的SiC外延工艺兼容6英寸和8英寸，可实现P&N型掺杂。反应腔采用水平热壁式设计，自有五路进气喷嘴和多元混气设计，形成稳定均匀流场；反应腔采用感应线圈加热，提供均匀温场，从而确保优异工艺指标。
技术优势
热壁感应加热系统，温场均匀
优异的产品指标，提高器件性能
多种混气机制，提供多元工艺需求
高产出、低生产成本，投资回报最大化
产品分类
应用领域
电力电子领域
轨道交通领域
数据中心
下载中心
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